Thị phần của Samsung trên thị trường DRAM đã, đang và sẽ khó bị ảnh hưởng trong một khoảng thời gian dài nữa. Tuy nhiên, SK Hynix không vì thế mà nhụt chí. Việc ra trình làng chip 8GB RAM cho các thiết bị di động cho thấy những nỗ lực của họ để không bị lép vế.
Chip 8GB RAM này của SK Hynix sẽ hướng tới phân khúc bình dân với các thông số không mấy ấn tượng ngoài dung lượng lớn. Khả năng cao chip nhớ này sẽ được tích hợp trong các điện thoại như Xiaomi, OnePlus hoặc Lenovo.
Sản xuất dựa trên tiến trình 21nm, chip nhớ 8GB này chắc chắn sẽ không thể cạnh tranh hiệu suất với các module RAM 8GB dựa trên tiến trình 10nm của Samsung. Xung nhịp bộ nhớ cũng sẽ thấp hơn rất nhiều do hạn chế về công nghệ. Theo thông số được hé lộ, các chip nhớ này sẽ chạy ở xung nhịp 3,73 GHz và mỗi con chip sẽ bao gồm 4 module nhớ dung lượng 2 GB. Về lý thuyết, băng thông bộ nhớ sẽ đạt mức 29,8 Gb/giây.
Chắc chắn tiến trình 21nm chẳng là gì so với mặt bằng chung của ngành. Tuy nhiên, nó đủ nhanh, ít lỗi và giá thành rẻ sẽ khiến SK Hynix có được một món hấp dẫn cho những nhà sản xuất muốn tăng lợi nhuận biên trên mỗi sản phẩm.
Dù 8GB RAM trên smartphone nghe có vẻ hấp dẫn, hiệu năng của chip nhớ này vẫn là một dấu hỏi lớn. Theo nhiều nguồn tin cậy, SK Hynix cũng dự định ra mắt phiên bản chip nhớ tiết kiệm điện vào Quý I 2017. Như vậy, các nhà sản xuất giá rẻ sẽ có thêm nhiều lựa chọn để tăng hiệu năng nhưng không tăng giá thành sản xuất của sản phẩm.